DUV Makineleriyle Yeni Nesil Mimari Çin Bilimler Akademisi Mikroelektronik Enstitüsü (IMECAS), batılı ülkelerin uyguladığı teknoloji ambargoları nedeniyle mahrum kaldığı aşırı ultraviyole (EUV) litografi cihazlarına alternatif bir üretim akışı geliştirdi. Pekin'de düzenlenen IC World konferansında paylaşılan verilere göre araştırmacılar, daldırma tipi derin ultraviyole (DUV) sistemlerinden yararlanarak nano tabaka kanallı GAA (Gate-All-Around) transistörlerin erken aşama entegrasyonunu başarıyla tamamladı. Geliştirilen deneysel transistörlerde iletim ve yalıtım durumları arasındaki akım oranları belirlenen kritik elektriksel eşiği aşarak, transistör kapısının nano tabakalar üzerinde etkili elektrostatik kontrol sağladığını kanıtladı. Üç nanometre ve daha küçük üretim süreçlerinde sızıntı akımlarını önlemek adına küresel bir standart haline gelen GAA mimarisi, böylece kısıtlı donanımlarla da olsa laboratuvar ortamında hayata geçirilmiş oldu.
Laboratuvardan Seri Üretime Uzanan Zorlu Yol Elde edilen bu teknik ilerleme Çin'in yarı iletken bağımsızlığı açısından önemli bir adım olsa da, teknolojinin seri üretime taşınması önünde ciddi mühendislik engelleri bulunuyor. Araştırma ekibi; kapı aralığı, metal hat mesafesi, nano tabaka boyutları ve bellek yoğunluğu gibi en kritik geometrik parametreleri henüz kamuoyuyla paylaşmadı. Bu durum, üretilen prototiplerin TSMC, Samsung Foundry veya Intel gibi dünya devlerinin ticari üç nanometre hatlarıyla doğrudan kıyaslanmasını şimdilik zorlaştırıyor. Bir prototipin fabrikalarda yüksek verimlilikle ticari olarak üretilebilmesi için yalnızca litografi aşaması değil; malzeme kaplama, aşındırma, kimyasal temizleme, metroloji ve hassas sıcaklık yönetimi gibi yüzlerce farklı adımın kusursuz bir uyumla çalışması gerekiyor. Çinli mühendisler donanım tarafındaki bu açığı kapatabilmek adına tasarım ve sistem optimizasyonlarına ağırlık vererek yeni nesil çiplerin seri üretim zeminini hazırlamaya çalışıyor.
